盛美的Ultra C单晶圆清洗系列可广泛应用于先进集成电路制造中多种前段工艺（FEOL）和后段工艺（BEOL）,可跟据不同应用配备不同化学药液与辅助清洗方式，也可应用于晶圆制造、MEMS制造，以及功率器件制造领域。

盛美半导体Ultra C单晶圆清洗设备产品应用

Ø 沉积前清洗

Ø 蚀刻后清洗

Ø  CMP后清洗

Ø  RCA标准清洗

Ø W Loop后清洗

Ø  Cu Loop后清洗

Ø  去除BEOL聚合物

Ø 深层Trench/Via清洗

Ø 薄膜去除

Ø  TSV后清洗

Ø  EPI前清洗

Ø ALD前清洗           

主要优势和特性规格（Ultra C II & Ultra C V & Ultra C VI）：

Ø  可配8腔体，12腔体和18腔体，产能可达225片/小时,375片/小时和800片/小时

Ø   具有双面清洗的能力，最多可配至5种清洗药液，如：DHF, DSP+, f-DIW, FOM, SC1, SC2, DIO3, ST250, EKC580, NE111, IPA或配方药液；集成式药液供给模块

Ø   最多可回收2种药液，低COO

Ø   可选配常温IPA或者高温IPA增强型干燥技术

Ø   可选配氮气雾化DIW二流体清洗或氮气雾化SC1二流体清洗来辅助去除颗粒杂质

Ø   可选配盛美研发的SAPS兆声波技术进行平坦表面或深孔结构中的湿法清洗

Ø   可选配盛美研发的TEBO兆声波技术对图形片来进行高效无损伤清洗

Ø   设备尺寸：Ultra C II 2.35m x 5.53m x 2.85m, Ultra C V 2.35m x 6.7m x 2.85m, Ultra C VI 2.35m×6.30m×2.85m (宽×长×高)通过S2安全认证和F47标准检验。